Hopping conductivity and magnetic field-induced Hall-insulator transition in InAs/GaAs quantum dot layersстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 12 июля 2017 г.
-
Авторы:
Kulbachinskii V.A.,
Lunin R.A.,
Rogozin V.A.,
Golikov A.V.,
Kytin V.G.,
Zvonkov B.N.,
Nekorkin S.M.,
Filatov D.O.,
de Visser A.
-
Сборник:
10th International Symposium NANOSTRUCTURES: Physics and Technology, S. Petersburg, June 17-21, 2002, Proceedings
-
Год издания:
2002
-
Место издания:
Ioffe Institute St. Petersburg, Russia
-
Первая страница:
516
-
Последняя страница:
519
-
Добавил в систему:
Кульбачинский Владимир Анатольевич