Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИПМех РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Subband 2D electron mobility in high carrier density GaAs/GaAlAs heterostructures for high power devices
тезисы доклада
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 12 июля 2017 г.
Авторы:
Kulbachinskii V.A.
,
Lunin R.A.
,
Kytin V.G.
,
Bugaev A.S.
,
Mokerov V.G.
,
Senichkin A.P.
Сборник:
International Symposium on Compoud Semiconductors, 23-27 September 1996, St. Petersburg, Abstracts
Тезисы
Год издания:
1996
Место издания:
Ioffe Institute St. Petersburg, Russia
Первая страница:
60
Добавил в систему:
Кульбачинский Владимир Анатольевич