|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Subband 2D electron mobility in high carrier density GaAs/GaAlAs heterostructures for high power devicesтезисы доклада
- Авторы: Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Kytin V.G., Bugaev A.S., Mokerov V.G., Senichkin A.P.
- Сборник: International Symposium on Compoud Semiconductors, 23-27 September 1996, St. Petersburg, Abstracts
- Тезисы
- Год издания: 1996
- Место издания: Ioffe Institute St. Petersburg, Russia
- Первая страница: 60
- Добавил в систему: Кульбачинский Владимир Анатольевич