Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИПМех РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Characteristics of the growth and composition of AlxGa1-xN/AlN/Si heterostructures with the use of the buffer layer of porous silicon
статья
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Авторы:
Lenshin A.
,
Zolotukhin D.
,
Beltyukov A.
,
Seredin P.
,
Mizerov A.
Журнал:
Journal of Physics: Conference Series
Том:
2227
Номер:
1
Год издания:
2022
Издательство:
IOP Publishing
Местоположение издательства:
[Bristol, UK], England
Первая страница:
012005
Последняя страница:
012010
DOI:
10.1088/1742-6596/2227/1/012005
Добавил в систему:
Бельтюков Артемий Николаевич