Ion-induced alkali-silicon interfaces: Atomistic simulations of collisional effectsстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 25 декабря 2013 г.

Работа с статьей


[1] Eckstein W., Hou M., Shulga V. I. Ion-induced alkali-silicon interfaces: Atomistic simulations of collisional effects // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. — 1996. — Vol. 119, no. 4. — P. 477–486. The bombardment of Si and Cs is investigated by computer simulation with the program TRIDYN.The dynamic target changes due to the bombardment as composition profiles and the corresponding changes in sputtering yield and reflection coefficient are studied as functions incident conditions. The incident energy is varied from 0.1 to 100 keV, and for 4 and 40 keV the dependence on the incident angle is considered. The dynamic results are compared with data from static calculations (low fluence). The influence of interaction potentials and of the choice of three surface binding energy models on the results are discussed. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть