Quasi-1D channels in Si delta-doped GaAs grown on vicinal (111)A GaAs substrate - статья | ИСТИНА – Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных

Quasi-1D channels in Si delta-doped GaAs grown on vicinal (111)A GaAs substrateстатья

Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 22 июля 2017 г.

Авторы: Rogozin V.A., Kulbachinskii V.A., Kytin V.G., Lunin R.A., Derkach A.V., Vasil'evskii I.S., Galiev G.B., Mokerov V.G.
Сборник: "Physics, Chemistry and Application of Nanostructures", Reviews and Short Notes to Nanomeeting 2003, (ed. V.E. Borisenko, S.V. Gaponenko, V.S. Gurin), Minsk, Belarus, 20-23 May
Год издания: 2003
Место издания: World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd Singapore
Первая страница: 503
Последняя страница: 506
Добавил в систему: Кульбачинский Владимир Анатольевич