Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИПМех РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Optimization of double barrier doped heterostructure AlGaAs/GaAs/AlGaAs/GaAs for ultra high frequency FET
тезисы доклада
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 22 июля 2017 г.
Авторы:
Galiev G.
,
Kaminslkii V.
,
Kulbachinskii V.
Сборник:
International conference “Micro and Nanoelectronics” ICMNE-2003, Zvenigorod, 6-10 October 2003
Тезисы
Год издания:
2003
Место издания:
Zvenigorod
Первая страница:
P2-103
Добавил в систему:
Кульбачинский Владимир Анатольевич