|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Влияние электронной теплопроводности на пороги и динамику развития пробоя диэлектриков, содержащих микровключениястатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 23 января 2020 г.
- Авторы: Анисимов С.И., Гальбурт В.А., Трибельский М.И.
- Журнал: Квантовая электроника
- Том: 8
- Год издания: 1981
- Издательство: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 1671
- Последняя страница: 1679
- Аннотация: Аналитически и численно рассмотрено влияние электронов проводимости, возникающих при термической ионизации прозрачного диэлектрика в окрестности поглощающего микровключения, нагреваемого лазерным излучением. Показано, что электронная теплопроводность сравнительно мало влияет на величину порога возникновения неустойчивости, приводящей к оптическому пробою диэлектрика.
- Добавил в систему: Трибельский Михаил Исаакович