|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Magnetic-field-induced the quantum Hall effect - Hall insulator transition and hopping conductivity in InAs/GaAs quantum dot layersтезисы доклада
- Авторы: Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Rogozin V.A., Zvonkov B.N., Filatov D.O., de Visser A.
- Сборник: The 23rd International Conference on Low Temperature Physics. Program and Abstracts. August 20-27, 2002. Hiroshima, Japan
- Тезисы
- Год издания: 2002
- Место издания: Hiroshima
- Первая страница: 523
- Последняя страница: 523
- Добавил в систему: Кульбачинский Владимир Анатольевич