Электронный транспорт в слоях InAs/GaAs на пороге образования квантовых точек - статья | ИСТИНА – Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных

Электронный транспорт в слоях InAs/GaAs на пороге образования квантовых точекстатья

Авторы: Лунин Р.А., Кульбачинский В.А., Голиков А.В., Рогозин В.А., Васильевский И.С., Деркач А.В., Мокеров В.Г., Федоров Ю.В.
Сборник: Физика электронных материалов: материалы Международной конференции (ФИЭМ'02). 1-4 октября 2002 г., Калуга
Год издания: 2002
Место издания: Издательство КГПУ им. К.Э.Циолковского Калуга
Первая страница: 170
Последняя страница: 171
Аннотация: Стр 170-171
Добавил в систему: Кульбачинский Владимир Анатольевич