|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
SUBTHRESHOLD ENERGY ELECTRON-BEAM ANNEALING OF TIN-IMPLANTED SILICONстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus,
Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 марта 2017 г.
- Авторы: Oak A.M., Vavilov V.S., Chukichev M.V.
- Журнал: RADIATION EFFECTS LETTERS
- Том: 86
- Номер: 1
- Год издания: 1983
- Первая страница: 1
- Последняя страница: 5
- Добавил в систему: Чукичев Михаил Васильевич