Intrinsic ferromagnetism created by vacancy injection in a semiconductor oxide Ti1-xCoxO2-deltaстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
Аннотация:The possibility of creating room-temperature intrinsic ferromagnetism in a highly doped oxide semiconductor has been investigated. The results indicate that such state of a ferromagnetic semiconductor can be achieved by magnetron sputtering deposition of a semiconductor oxide doped with a transition metal followed by low-temperature vacuum annealing.