Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИПМех РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Subband electron mobility in selectively delta-doped GaAs/GaAlAs heterostructures with high carrier density
статья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 14 августа 2017 г.
Авторы:
Kulbachinskii V.A.
,
Lunin R.A.
,
Kytin V.G.
,
Bugaev A.S.
,
Mokerov V.G.
,
Senichkin A.P.
Сборник:
Compound Semiconductors 1996, Institute of Physics Conference Series, chapter 12
Том:
155
Год издания:
1997
Место издания:
Institute of Physics Publishing Ltd United Kingdom
Первая страница:
957
Последняя страница:
960
Добавил в систему:
Кульбачинский Владимир Анатольевич