|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Ultrafast Laser-Induced Transitions on the Surface of Semiconductors to a Cold-Liquid State or a New Crystal Phaseстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus,
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 29 ноября 2013 г.
- Авторы: Emel’yanov V.I., Babak D.V.
- Журнал: Laser Physics
- Том: 7
- Номер: 2
- Год издания: 1997
- Издательство: IOP Publishing
- Местоположение издательства: [Bristol, UK], England
- Первая страница: 514
- Последняя страница: 523
- Аннотация: Intermode anharmonic interaction is taken into account within the framework of the theory of ultrafast (t ~ 10–13 s) structure phase transitions on the surface of semiconductors (Si, GaAs) under the action of femtosecond laser pulses. We specify conditions of plasma-induced transitions either to the state of chaotically disordered atoms (cold liquid) or to a state with a crystal symmetry other than the initial symmetry of a crystal (new crystal phase). The relevant experiments with Si and GaAs are interpreted.
- Добавил в систему: Емельянов Владимир Ильич