|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Quasi-one-dimensional distribution of macropores in anodically etched uniaxially stressed silicon platesстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 29 ноября 2013 г.
- Авторы: Emel’yanov V.I., Eremin K., Starkov V., Gavrilin E.
- Журнал: Technical Physics Letters
- Том: 29
- Номер: 3
- Год издания: 2003
- Издательство: Pleiades Publishing, Ltd
- Местоположение издательства: Road Town, United Kingdom
- Первая страница: 226
- Последняя страница: 229
- DOI: 10.1134/1.1565641
- Аннотация: Gradual transition from quasi-hexagonal to quasi-one-dimensional order was experimentally observed in an arrangement of macropores etched on the surface of a Si(100) plate inhomogeneously strained by bending. The observed phenomenon is theoretically described within the framework of a defect-deformation mechanism of the formation of ordered ensembles of seeding pores in etched semiconductors and metals
- Добавил в систему: Емельянов Владимир Ильич