|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Ignition and propagation of a solitary wave of the formation of point defects as a result of intense laser generation of electron — hole pairs in semiconductors and dielectricsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 29 ноября 2013 г.
- Авторы: Emel'yanov V.I., Rogacheva A.V.
- Журнал: Quantum Electronics
- Том: 28
- Номер: 11
- Год издания: 1998
- Издательство: Turpion - Moscow Ltd.
- Местоположение издательства: United Kingdom
- Первая страница: 991
- Последняя страница: 996
- DOI: 10.1070/QE1998v028n11ABEH001371
- Аннотация: A model of a solitary defect-generation wave is developed by analogy with the combustion wave model. This solitary wave is initiated and propagates in semiconductors and dielectrics as a result of intense laser generation of electron — hole pairs. The following characteristics of a defect-generation wave are determined analytically: the critical intensity of ignition of the wave; the profile and propagation velocity of the wave; the concentration of point defects generated by the wave. The results obtained are used to provide a quantitative interpretation of an experimental study of the damage to the surface of Si by repeated picosecond pulses
- Добавил в систему: Емельянов Владимир Ильич