|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Radiation Parameters of Thin-Film Electroluminescent Emitters Based on ZnSe Nanocomposite Layersстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Valeev R.G., Bel'tyukov A.N., Vetoshkin V.M., Romanov E.A., Eliseev A.A.
- Журнал: Technical Physics
- Том: 56
- Номер: 6
- Год издания: 2011
- Издательство: Maik Nauka/Interperiodica Publishing
- Местоположение издательства: Russian Federation
- Первая страница: 896
- Последняя страница: 898
- DOI: 10.1134/S1063784211060272
- Аннотация: An approach to fabricating electroluminescence devices is suggested in which an active ZnSe layer in a nanocomposite form (nanocrystallite embedded in an amorphous matrix) is used for the first time. In contrast to standard thin-film electroluminescence devices, no impurity doping of the active layer is required for providing radiation with a given wavelength. The current-voltage characteristic of a developmental device is taken, and the impedance of an electroluminescence capacitor is measured. The electroluminescence spectrum is found to have a maximum at a wavelength of 335 nm.
- Добавил в систему: Елисеев Андрей Анатольевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | Tech_phys_2011-56_896-898.pdf | 161,5 КБ | 17 мая 2017 [RiVal] |