|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Defect-induced nanometer-scale surface melting and strong optical nonlinearity of Ga below the melting pointстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 7 декабря 2013 г.
- Автор: Emel'yanov V.I.
- Сборник: Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
- Год издания: 2002
- Первая страница: 390
- Последняя страница: 397
- Аннотация: The theory of nanoscale surface melting induced by long range screened defect-defect interactions is developed. The thickness of quasiliquid surface layer is shown to be an exponential function of temperature detuning from the melting point in accordance with the empirical dependence. Obtained results justify the modeling of observed strong nonlinear optical response of alpha-Ga films and single crystals below the melting point in terms of laser-induced nonthermal nanoscale surface melting
- Добавил в систему: Емельянов Владимир Ильич