Аннотация:Впервые представлены результаты, полученные при исследовании роста и структуры кристаллических пленок производного пара-кватерфенила с концевыми н-гексильными заместителями – ди-нгексил-пара-кватерфенила. Структура кристаллических пленок исследована методом рентгеновской дифракции. Установлено, что кристаллические пленки ди-н-гексил-пара-кватерфенила, как и
кристаллы незамещенного пара-кватерфенила, склонны к разрастанию на межфазной границе
жидкость–воздух в виде стопки параллельных мономолекулярных слоев толщиной d001 = 3.05 нм.
Исследованы спектры оптического поглощения и фотолюминесценции растворов в н-гексане, толуоле, тетрагидрофуране и кристаллических образцов.