|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Defect-strain instability and formation of periodic ablation structure on semiconductor surface under the action of ultrashort laser pulsesстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 7 декабря 2013 г.
- Авторы: Emel'yanov Vladimir I., Babak Denis V.
- Сборник: SPIE Proceedings
- Серия: High-Power Laser Ablation III
- Том: 4065
- Год издания: 2000
- Первая страница: 842
- Последняя страница: 854
- DOI: 10.1117/12.407311
- Аннотация: The theory of defect-strain instability with formation of periodic surface relief in semiconductors irradiated by ultrashort (zp iO' s) laser pulse is developed. The period and time of formation of surface relief are calculated. Regimes of multipulse laser ablation leading to formation of either smooth surface or arrays of surface relief spikes are considered and corresponding experimental results are interpreted from the viewpoint of the developed theory
- Добавил в систему: Емельянов Владимир Ильич