Recombination-stimulated growth and relaxation of dislocation loops as a mechanism of multi-pulse laser damage of semiconductorsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 27 мая 2015 г.
Аннотация:A new model of recombination-stimulated nucleation
and growth of dislocation loops in semiconductors with intense
laser generation of electron-hole pairs is developed. The model is
shown to describe experimental results on multipulse laser dam-
age of silicon surface