|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
DEFECT-DEFORMATIONAL MECHANISM OF NUCLEATION OF ENSEMBLE OF PORES IN SEMICONDUCTORS AND METALSстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 7 декабря 2013 г.
- Авторы: EMEL'YANOV V.I., ERIOMIN K.I., STARKOV V.V.
- Журнал: Laser Physics
- Том: 12
- Номер: 12
- Год издания: 2002
- Издательство: IOP Publishing
- Местоположение издательства: [Bristol, UK], England
- Первая страница: 1432
- Последняя страница: 1436
- Аннотация: A universal defect-deformational (DD) mechanism of formation of ensembles of seeding pores under etching of semiconductors and metals based on the notion of generation and self-organization of interstitials and vacancies in the etching process is developed. For the case of p-Si a good correspondence of theoretical and experimental results is obtained; in particular, the quasi-hexagonal order in positions of macro-pores on the surface, predicted by the DD model, was revealed
- Добавил в систему: Емельянов Владимир Ильич