|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Structural transitions in GaAs during irradiation by a 100-fs laser pulseстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 7 декабря 2013 г.
- Авторы: Kudryashov S.I., Emel'yanov V.I.
- Журнал: Quantum Electronics
- Том: 31
- Номер: 7
- Год издания: 2001
- Издательство: Turpion - Moscow Ltd.
- Местоположение издательства: United Kingdom
- Первая страница: 565
- Последняя страница: 566
- DOI: 10.1070/QE2001v031n07ABEH002004
- Аннотация: It is shown experimentally for the first time that the pumping of a GaAs sample by a 100-fs laser pulse causes plasma-induced bandgap collapse and 'cold' melting of the material during the pulse
- Добавил в систему: Емельянов Владимир Ильич