|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Calculation of ion channeling and defect distribution in Si single crystal by ion bombardmentстатья
- Авторы: Eltekov V.A., Karpuzov D.S., Martynenko Yu V., Rubakha E.A., Simonov V.A., Yurasova V.E.
- Сборник: Abstrасе of the 4-th Int. Conf. on Atomic Collisions in Solids
- Год издания: 1971
- Место издания: Gausdal, Norway
- Первая страница: 78
- Последняя страница: 78
- Добавил в систему: Юрасова Вера Евгеньевна