|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Plasma Parameters and Kinetics of Reactive-Ion Etching of Silicon in a C6F12O + Ar Mixtureстатья
- Авторы: Efremov A.M., Betelin V.B., Kwon K.H.
- Журнал: Russian Microelectronics
- Том: 51
- Номер: 4
- Год издания: 2022
- Издательство: Maik Nauka/Interperiodica Publishing
- Местоположение издательства: Russian Federation
- Первая страница: 247
- Последняя страница: 254
- DOI: 10.1134/s1063739722040047
- Добавил в систему: Стамов Любен Иванович