Fabrication of ultrafine silicon layers on sapphireстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 декабря 2013 г.
Аннотация:The effect of energy, dosage, and temperature of irradiation of SOS structures by Si+ ions, as well as parameters of recrystallization annealing, on crystallinity of silicon film is shown. Implantation conditions and recrystallization annealing conditions are determined.