|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Процессы на поверхности стекла при облучении электронами средних энергийстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК- Авторы: Хасаншин Р.Х., Новиков Л.С.
- Журнал: Перспективные материалы
- Номер: 1
- Год издания: 2023
- Издательство: Интерконтакт Наука
- Местоположение издательства: М.
- Первая страница: 19
- Последняя страница: 27
- DOI: 10.30791/1028-978x-2023-1-19-27
- Аннотация: Экспериментально исследованы процессы, протекающие на поверхности защитных стекол солнечных батарей и элементов отражающих покрытий высокоорбитальных искусственных спутников Земли (ИСЗ) при облучении электронами с энергией 30 кэВ. Образцы для исследований изготовлены на основе стекол К-208, при этом образцы отражающих покрытий отличались наличием на обратной поверхности стеклянных пластин слоев серебра и нержавеющей стали, нанесенных последовательно методом магнетронного напыления. Электронное облучение образцов проводили в вакууме 10–4 Па при плотности потока частиц (φ) от 1·109 до 8·1012 см–2с–1, поверхности образцов до и после облучения исследовали методами атомно-силовой микроскопии (АСМ). На облучаемой поверхности стеклянных образцов возникали электростатические разряды (ЭСР), параметры которых характеризовались осциллограммами генерируемых электромагнитных импульсов, дляэлементов отражающих покрытий дополнительно измеряли токи утечки на металлическую подложку. Установлено, что изменения структуры облучаемой поверхности образцов обусловлены появлением следов ЭСР и образованием на ней газонаполненных пузырьков, а изменения тыльной поверхности стеклянных пластин вызваны, предположительно,ударными волнами, образующимися при возникновении ЭСР на облучаемой поверхности. Частота ЭСР и токи утечки растут с увеличением плотности потока электронов в указанном диапазоне, однако эти зависимости существенно различаются. Измерения при постоянном значении φ = 2,0·1010 см–2с–1 показали, что с увеличением флюенса электронов (Ф) от 1·1014 до 5·1016 см–2 частота ЭСР возрастает, но при этом амплитуда электромагнитных импульсов снижается.
- Добавил в систему: Чирская Наталья Павловна