|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Остывание зоны разрядов, скользящих по поверхности диэлектрикатезисы доклада
- Авторы: Знаменская И.А., Карнозова Е.А., Руденко С., Дорощенко И.А.
- Сборник: Сборник тезисов докладов L Международной Звенигородской конференции по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу
- Тезисы
- Год издания: 2023
- Место издания: Москва, МБА
- Первая страница: 233
- Последняя страница: 233
- DOI: 10.34854/ICPAF.2023.50.2023.1.1.180
- Аннотация: В работе исследованы условия развития разрядов:1. Разряд, скользящий по поверхности диэлектрика вблизи диэлектрической вставки на горизонтальной поверхности плазменного листа; длина 30 мм.2. Вертикальный колонообразный разряд вблизи окна разрядной камеры высотой 24 мм (режим контракции объемного разряда).http://www.fpl.gpi.ru/Zvenigorod/L/Sbornik-2023.pdf
- Добавил в систему: Карнозова Елизавета Андреевна