Formation and analysis of the specific features of the electronic structure of an array of Ge/ZnSe nanoscale heterostructures

Beltiukov, A.N.; Gilmutdinov, F.Z.; Valeev, R.G.; Mukhgalin, V.V.; Boytsova, O.V.; Ivanov, V.K.

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science, Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 25 апреля 2017 г.

Авторы: Beltiukov A.N., Gilmutdinov F.Z., Valeev R.G., Mukhgalin V.V., Boytsova O.V., Ivanov V.K.
Журнал: Materials Research Express
Том: 3
Номер: 11
Год издания: 2016
Первая страница: 115004
Последняя страница: 115004
DOI: 10.1088/2053-1591/3/11/115004
Аннотация: This paper describes a method for forming an array of Ge/ZnSe nanoheterostructures by vacuum thermal evaporation. ZnSe and Ge layers were deposited on an anodic aluminum oxide surface with a pore diameter of 24 nm. Scanning electron microscopy showed that nanoheterostructures are formed in the pore channels. The features of the electron structure of the samples obtained were investigated by x-ray photoelectron spectroscopy and optic absorption spectroscopy. These investigations showed that the band gap of germanium increases. Also, there is a significant increase in valence band discontinuity (to 3.6 eV). Thus, we obtained Ge/ZnSe heterostructures with non-overlapping band gaps or broken-gap heterostructures.
Добавил в систему: Иванов Владимир Константинович

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИПМех РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ИПМех РАН

Formation and analysis of the specific features of the electronic structure of an array of Ge/ZnSe nanoscale heterostructuresстатья

Прикрепленные файлы