Упругое рассеяние атома рутения на атомах Si и O в диапазоне относительных кинетических энергий 2−200 eV

Палов, А.П.

Автор: Палов А.П.
Журнал: Письма в "Журнал технической физики"
Том: 49
Номер: 9
Год издания: 2023
Издательство: Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Местоположение издательства: Москва
Первая страница: 29
Последняя страница: 31
DOI: 10.21883/PJTF.2023.09.55321.19530
Аннотация: Технологии производства межслойных соединений нового поколения предполагают использованиерутения. Высокая стоимость экспериментального изучения распыления и травления тренчей в Ruприводит к необходимости его оптимизации путем моделирования, требующего знания сеченийэлементарных процессов взаимодействия плазменных частиц с Ru. Бинарные межатомные потенциалы Ru−Ru и Ru−Si, апробированные методом молекулярной динамики, и Ru−O, рассчитанный с помощью метода многоконфигурационного взаимодействия MRCI/AV5Z использованы намидля расчета сечений упругого рассеяния атомов в диапазоне энергий, типичных для плазменноготравления
Добавил в систему: Палов Александр Петрович

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИПМех РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ИПМех РАН

Упругое рассеяние атома рутения на атомах Si и O в диапазоне относительных кинетических энергий 2−200 eVстатья

Прикрепленные файлы