|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
ОДНОАТОМНЫЙ ОДНОЭЛЕКТРОННЫЙ ТРАНЗИСТОР С УВЕЛИЧЕННЫМИ ЭЛЕКТРОДАМИ НА ОСНОВЕ ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ В КРЕМНИИтезисы доклада
- Авторы: Колпаков М.А., Латышов К.В., Преснов Д.Е., Шорохов В.В., Трифонов А.С., Снигирев О.В., Крупенин В.А.
- Сборник: Материалы Международного молодежного научного форума «Ломоносов-2023»
- Редакторы: Алешковский Иван Андреевич, Андриянов Андрей Владимирович, Антипов Евгений Александрович, Зимакова Екатерина Игоревна
- Серия: География
- Тезисы
- Год издания: 2023
- Издательство: ООО "МАКС Пресс"
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 947
- Последняя страница: 947
- Аннотация: Развитие нанотехнологий открывает возможности для разработки новых наноразмерных электронных устройств. Одним из них является одноатомный одноэлектронный транзистор, в котором перенос электронов обеспечивается туннелированиемчерез один атом легирующей примеси [1]. Одноатомные устройства очень перспективны для создания квантовых вычислительных устройств [2]. Для изготовления одноатомных структур используется метод последовательного утоньшения неравномернолегированного верхнего слоя кремниевого наномостика, с помощью последовательныхпроцессов изотропного реактивно-ионного травления [3]. В качестве легирующей примеси используются атомы мышьяка.Экспериментальные структуры были проанализированы путем измерения ихэлектрических характеристик при температуре жидкого гелия, а затем в рефрижераторерастворения при температурах от 10 К до 15 мК. Электрические характеристики былипредставлены в виде вольтамперных характеристик и диаграмм стабильности (зависимость проводимости от напряжений на контактах стока-истока и затвора).Горизонтальные области на вольтамперных характеристиках и диагональныелинии на диаграммах стабильности свидетельствуют о влиянии дискретного энергетического спектра электронов примесных атомов на электронный транспорт в транзисторе. Однако при температуре 4,2К эти эффекты оказываются размыты тепловыми флуктуациями. Дальнейшее охлаждение образца в рефрижераторе растворения уменьшиловлияние флуктуаций, но при достижении температур ниже 2К (вплоть до 10мК) характеристики переставали изменяться. Это может указывать на локальный перегрев наноразмерной области вблизи транзистора. Чтобы свести к минимуму этот эффект, былапредложена новая конструкция образца, где для увеличения эффективности теплоотвода была увеличена ширина электродов транзистора и уменьшена их длина.Данное исследование выполнено при поддержке Междисциплинарной научнообразовательной школы Московского университета "Фотонные и квантовые технологии. Цифровая медицина". в работе использовалось оборудование Учебнометодического центра литографии и микроскопии МГУ им. М.В. Ломоносова.Литература1. Fuechsle, Martin, et al. "A single-atom transistor." Nature nanotechnology 7.4 (2012): 242-246.2. Koch, Matthias, et al. "Spin read-out in atomic qubits in an all-epitaxial three-dimensionaltransistor." Nature nanotechnology 14.2 (2019): 137-140.3. Dagesyan, S. A., et al. "Sequential reduction of the silicon single-electron transistorstructure to atomic scale." Nanotechnology 28.22 (2017): 225304.
- Добавил в систему: Колпаков Михаил Александрович