Аннотация:В работе экспериментально выявлены различия электронных состояний в топологических материалах на основе эпитаксиальных пленок Hg1-xCdxTe, с необходимостью формирующихся на границах топологической фазы с вакуумом и с тривиальным буфером в областях гетероперехода. Было продемонстрировано, что наблюдаемая в указанных структурах PT-симметричная терагерцовая фотопроводимость обусловлена именно состояниями в области интерфейсов топологическая пленка/тривиальный буфер (или покровный слой).