|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
TEMPERATURE-DEPENDENCE OF THE MOBILITY EDGE OF HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICONстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus,
Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 19 февраля 2014 г.
- Автор: ZVYAGIN IP
- Журнал: Soviet Physics Semiconductors-Ussr
- Том: 18
- Номер: 8
- Год издания: 1984
- Первая страница: 930
- Последняя страница: 931
- Добавил в систему: Звягин Игорь Петрович