Аннотация:Приводятся результаты экспериментального исследования модифицирования грани (111) синтети-
ческого алмаза высокодозным (≥1018 ион/см2) облучением ионами Ar+ энергии 30 кэВ. Облучение
при комнатной температуре приводит к образованию аморфного слабо проводящего слоя на по-
верхности образца. При его термообработке с повышением температуры до 400°С происходит более
чем десятикратное экспоненциальное падение измеряемого при комнатной температуре слоевого
сопротивления. При повышении температуры облучаемого алмаза в диапазоне от 30 до 400°С слое-
вое сопротивление ионно-индуцированного проводящего слоя уменьшается более чем в 100 раз до
уровня проводимости графитоподобных материалов. Спектры комбинационного рассеяния света
ионно-индуцированным проводящим слоем поверхности алмаза отражают процессы структурного
разупорядочения–упорядочения sp2-углерода и значительные изменения оптического пропуска-
ния алмаза после ионного облучения.