|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
EXAFS Studies of the Local Atomic Structure of Nanocrystalline GaAsстатья Перевод
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 20 мая 2017 г.
- Авторы: Valeev R.G., Deev A.N., Rutz Yu V., Babanov Yu A., Krylov P.N., Kobziev V.F., Lomaeva S.F.
- Журнал: Semiconductors
- Том: 35
- Номер: 6
- Год издания: 2001
- Издательство: Springer
- Местоположение издательства: New York
- Первая страница: 627
- Последняя страница: 629
- Аннотация: Conditions were considered for producing GaAs nanocrystalline films by a thermal method on the basis of a UVN-71-P3 modernized vacuum setup using three evaporator types. The extended X-ray absorption fine structure (EXAFS) method was applied to study the local atomic structure of the samples produced.
- Добавил в систему: Валеев Ришат Галеевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | Semi-2001-35-6_627-629.pdf | 42,2 КБ | 17 мая 2017 [RiVal] |