Study of thin Ge films with amorphous and nanocrystalline phases via the techniques of EXAFS spectroscopy and AFM

Valeev, R.G.; Deev, A.N.; Surnin, D.V.; Kriventsov, V.V.; Karban, O.V.; Vetoshkin, V.M.; Pivovarova, O.I.

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science, Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 20 мая 2017 г.

Авторы: Valeev R.G., Deev A.N., Surnin D.V., Kriventsov V.V., Karban O.V., Vetoshkin V.M., Pivovarova O.I.
Журнал: Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques
Том: 4
Номер: 1
Год издания: 2010
Издательство: Pleiades Publishing, Ltd
Местоположение издательства: Road Town, United Kingdom
Первая страница: 136
Последняя страница: 141
DOI: 10.1134/S1027451010010209
Аннотация: The local atomic structure and surface morphology of thin semiconductor films of Ge have been studied via extended Xray absorption fine structure spectroscopy and atomic force microscopy. The films have been obtained by thermal evaporation of a material in an ultrahigh vacuum at different substrate temperatures. The films contain both amorphous and nanocrystalline phases. The percentage of the phases depends on the condensation temperature. The classical linear dependence of grain sizes on condensation temperature T is violated at T = 100°C.
Добавил в систему: Валеев Ришат Галеевич

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИПМех РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ИПМех РАН

Study of thin Ge films with amorphous and nanocrystalline phases via the techniques of EXAFS spectroscopy and AFMстатья Перевод

Прикрепленные файлы