|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Incoherent-light pulse annealing of nanoporous germanium layers formed by ion implantationстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 20 февраля 2024 г.
- Авторы: Stepanov A.L., Farrakhov B.F., Fattakhov Ya V., Rogov A.M., Konovalov D.A., Nuzhdin V.I., Valeev V.F.
- Журнал: Vacuum
- Том: 186
- Год издания: 2021
- Издательство: Elsevier Ltd
- Местоположение издательства: London
- Номер статьи: 110060
- DOI: 10.1016/j.vacuum.2021.110060
- Аннотация: The study addresses the monocrystalline c-Ge substrates implanted by Ag+ ions with the energy of 30 keV, irradiation dose of 7.5⋅1016 ion/cm2 at current density of 8 μA/cm2 and annealed by incoherent-light pulse. By scanning electron microscopy and optical reflection spectroscopy measurements, it was shown that after ion implantation an amorphous porous Ag:PGe layer of a spongy structure with nanowires on the c-Ge substrate were formed. Pulsed light annealing of the implanted samples leads to partial melting and recrystallization of the surface Ag:PGe layer. The spongy annealed structure of the Ag:PGe layer was not destroyed, however the diameters of nanowires increased by about 1,5 times.
- Добавил в систему: Степанов Андрей Львович