|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Porous silicon and germanium thin layers with silver nanoparticlesстатья
- Авторы: Rogov Alexey M., Vorobev Viacheslav V., Nuzhdin Vladimir I., Valeev Valery F., Stepanov Andrey L.
- Сборник: Nanocomposites for Photonic and Electronic Applications
- Глава в коллективной монографии
- Год издания: 2020
- Издательство: Elsevier Ltd.
- Местоположение издательства: Amsterdam, Netherlands
- Первая страница: 167
- Последняя страница: 192
- DOI: 10.1016/b978-0-12-818396-0.00007-8
- Аннотация: A new technological method based on low-energy ion implantation to create porous PSi and PGe layers on the crystalline surface of semiconductor wafers is presented in this study. It is also demonstrated that various PSi and PGe structures with nanoparticles AgNPs may be successfully produced using a high-dose (more than 1.0 1016 ion/cm2) Ag-ion implantation of Si and Ge with the energy of 30 keV.
- Добавил в систему: Степанов Андрей Львович