|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
EXAFS and XPS studies of germanium and gallium arsenide nanostructures in porous aluminum oxide matricesстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 17 октября 2017 г.
- Авторы: Valeev R.G., Beltukov A.N., Kriventsov V.V., Mezentsev N.A., Vetoshkin V.M.
- Журнал: Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics
- Том: 79
- Номер: 1
- Год издания: 2015
- Издательство: Allerton Press Inc.
- Местоположение издательства: United States
- Первая страница: 144
- Последняя страница: 148
- DOI: 10.3103/s1062873815010335
- Аннотация: The local atomic structure and chemical bonds of germanium and gallium arsenide, specimens of an isoelectronic series, are studied. Both materials are obtained via thermal evaporation of the materials’ powders onto porous matrices of anodic aluminum oxide and polycorr substrates. The mechanism responsible for the formation of local atomic structure is shown to be almost identical for Ge and GaAs. When compared to the films on polycorr surfaces, changes in local atomic structure are observed in the material obtained in porous matrices due to the difference between the mechanisms of condensation on rough and smooth surfaces.
- Добавил в систему: Валеев Ришат Галеевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | BRAS_2015-79-1_144-148.pdf | 413,6 КБ | 23 мая 2017 [RiVal] |