Si based tunneling field effect transistors and inverters - статья | ИСТИНА – Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных

Si based tunneling field effect transistors and invertersстатья

Авторы: Mantl Siegfried, Knoll Lars, Richter Simon, Schmidt Matthias, Wirths Stephan, Nichau Alexander, Schafer Anna, Blaeser Sebastian, Trellenkamp Stefan, Hartmann Jean-Michael, Bourdelle Konstantin K., Buca Dan, Zhao Qing-Tai
Сборник: 71st Device Research Conference
Год издания: 2013
Место издания: IEEE
DOI: 10.1109/drc.2013.6633859
Добавил в систему: Бурдель Константин Константинович