UTBOX and ground plane combined with Al&lt;inf&gt;2&lt;/inf&gt;O&lt;inf&gt;3&lt;/inf&gt; inserted in TiN gate for V&lt;inf&gt;T&lt;/inf&gt; modulation in fully-depleted SOI CMOS transistors

Fenouillet-Beranger, C.; Perreau, P.; Casse, M.; Garros, X.; Leroux, C.; Martin, F.; Gassilloud, R.; Bajolet, A.; Tosti, L.; Barnola, S.; Andrieu, F.; Weber, O.; Beneyton, R.; Perrot, C.; de Buttet, C.; Abbate, F.; Pernet, B.; Campidelli, Y.; Pinzelli, L.; Gouraud, P.; Huguenin, J.L.; Borowiak, C.; Peru, S.; Clement, L.; Pantel, R.; Bourdelle, K.K.; Nguyen, B.Y.; Boedt, F.; Denorme, S.; Faynot, O.; Skotnicki, T.; Boeuf, F.

UTBOX and ground plane combined with Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> inserted in TiN gate for V<inf>T</inf> modulation in fully-depleted SOI CMOS transistorsстатья

Авторы: Fenouillet-Beranger C., Perreau P., Casse M., Garros X., Leroux C., Martin F., Gassilloud R., Bajolet A., Tosti L., Barnola S., Andrieu F., Weber O., Beneyton R., Perrot C., de Buttet C., Abbate F., Pernet B., Campidelli Y., Pinzelli L., Gouraud P., Huguenin J.L., Borowiak C., Peru S., Clement L., Pantel R., Bourdelle K.K., Nguyen B.Y., Boedt F., Denorme S., Faynot O., Skotnicki T., Boeuf F.
Сборник: Proceedings of 2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications
Год издания: 2011
Место издания: IEEE
DOI: 10.1109/vtsa.2011.5872254
Добавил в систему: Бурдель Константин Константинович

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИПМех РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ИПМех РАН

UTBOX and ground plane combined with Al&lt;inf&gt;2&lt;/inf&gt;O&lt;inf&gt;3&lt;/inf&gt; inserted in TiN gate for V&lt;inf&gt;T&lt;/inf&gt; modulation in fully-depleted SOI CMOS transistorsстатья

UTBOX and ground plane combined with Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> inserted in TiN gate for V<inf>T</inf> modulation in fully-depleted SOI CMOS transistorsстатья