Rare-Earth Scandate/TiN Gate Stacks in SOI MOSFETs Fabricated With a Full Replacement Gate Processстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 15 февраля 2024 г.