Analysis of sense margin and reliability of 1T-DRAM fabricated on thin-film UTBOX substrates - статья | ИСТИНА – Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных

Analysis of sense margin and reliability of 1T-DRAM fabricated on thin-film UTBOX substratesстатья

Авторы: Collaert N., Aoulaiche M., Rakowski M., De Wachter B., Bourdelle K., Nguyen B.Y., Boedta F., Delprat D., Jurczak M.
Сборник: 2009 IEEE International SOI Conference
Год издания: 2009
Место издания: IEEE
DOI: 10.1109/soi.2009.5318781
Добавил в систему: Бурдель Константин Константинович