Splitting kinetics of Si0.8Ge0.2 layers implanted with H or sequentially with He and H - статья | ИСТИНА – Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных

Splitting kinetics of Si0.8Ge0.2 layers implanted with H or sequentially with He and Hстатья

Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus

Авторы: Nguyen Phuong, Bourdelle K.K., Aulnette C., Lallement F., Daix N., Daval N., Cayrefourcq I., Letertre F., Mazuré C., Bogumilowicz Y., Tauzin A., Deguet C., Cherkashin N., Claverie A.
Журнал: Journal of Applied Physics
Том: 104
Номер: 11
Год издания: 2008
Издательство: AIP Publishing
Местоположение издательства: United States
DOI: 10.1063/1.3033555
Добавил в систему: Бурдель Константин Константинович