|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Low temperature diffusion of impurities in hydrogen implanted siliconстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus- Авторы: Personnic S., Bourdelle K.K., Letertre F., Tauzin A., Laugier F., Fortunier R., Klocker H.
- Журнал: Journal of Applied Physics
- Том: 101
- Номер: 8
- Год издания: 2007
- Издательство: AIP Publishing
- Местоположение издательства: United States
- DOI: 10.1063/1.2721772
- Добавил в систему: Бурдель Константин Константинович