Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИПМех РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Time Dependence Study Of Hydrogen-Induced Defects In Silicon During Thermal Anneals
статья
Авторы:
Personnic S.
,
Tauzin A.
,
Bourdelle K.K.
,
Letertre F.
,
Kernevez N.
,
Laugier F.
,
Cherkashin N.
,
Claverie A.
,
Fortunier R.
Сборник:
AIP Conference Proceedings
Год издания:
2006
Место издания:
AIP
DOI:
10.1063/1.2401463
Добавил в систему:
Бурдель Константин Константинович