Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИПМех РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Study of extended-defect formation in Ge and Si after H ion implantation
статья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Авторы:
Akatsu T.
,
Bourdelle K.K.
,
Richtarch C.
,
Faure B.
,
Letertre F.
Журнал:
Applied Physics Letters
Том:
86
Номер:
18
Год издания:
2005
Издательство:
AIP Publishing
Местоположение издательства:
United States
DOI:
10.1063/1.1906319
Добавил в систему:
Бурдель Константин Константинович