Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИПМех РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Comparison of B and BF/sub 2/ source/drain extension implants for PMOS transistors with thin gate oxides
статья
Авторы:
Bourdelle K.K.
,
Gossmann H.J L
,
Chaudhry S.
,
Agarwal A.
Сборник:
2000 International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings. Ion Implantation Technology - 2000 (Cat. No.00EX432)
Год издания:
2000
Место издания:
IEEE
DOI:
10.1109/iit.2000.924081
Добавил в систему:
Бурдель Константин Константинович