Very low cost graded SiGe base bipolar transistors for a high performance modular BiCMOS processстатья
-
Авторы:
King C.A.,
Frei M.R.,
Mastrapasqua M.,
Ng K.K.,
Kim Y.O.,
Johnson R.W.,
Moinian S.,
Martin S.,
Cong H.I.,
Klemens F.P.,
Tang R.,
Nguyen D.,
Hsu T.I.,
Campbell T.,
Molloy S.J.,
Fritzinger L.B.,
Ivanov T.G.,
Bourdelle K.K.,
Lee C.,
Chyan Y.F.,
Carroll M.S.,
Leung C.W.
-
Сборник:
International Electron Devices Meeting 1999. Technical Digest (Cat. No.99CH36318)
-
Год издания:
1999
-
Место издания:
IEEE 1999
-
DOI:
10.1109/iedm.1999.824217
-
Добавил в систему:
Бурдель Константин Константинович