Progress toward 10 nm CMOS devices - статья | ИСТИНА – Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных

Progress toward 10 nm CMOS devicesстатья

Авторы: Timp G., Bourdelle K.K., Bower J.E., Baumann F.H., Boone T., Cirelli R., Evans-Lutterodt K., Garno J., Ghetti A., Gossmann H., Green M., Jacobson D., Kim Y., Kleiman R., Klemens F., Kornlit A., Lochstampfor C., Mansfield W., Moccio S., Muller D.A., Ocola I.E.
Сборник: International Electron Devices Meeting 1998. Technical Digest (Cat. No.98CH36217)
Год издания: 1998
Место издания: IEEE
DOI: 10.1109/iedm.1998.746433